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Spectrometer

광간섭 원리를 이용한 비접촉 · 비파괴 박막 두께 측정 시스템입니다.
반사율, 투과율, 굴절률(n&k), 색좌표를 동시에 측정하며 오프라인부터 인라인까지 동일한 플랫폼으로 구성됩니다.

WEB Coating · 대면적 기판

METIS System

반사율 · 투과율 헤드와 광원이 적분구 안에 통합되어 높낮이 · 기울기 변화에 강한 인라인 측정 시스템입니다.

METIS INLINE

파장

360–970 nm (변경 가능)

두께

5 nm–25 μm

높낮이/기울기

±6 mm / ±2°

동시 측정층

3 Layer (최대 20)

주요 특징

인라인 관용성

인라인 관용성

±6 mm 높낮이, ±2° 기울기에서도 안정적 측정.
R2R 및 대면적 인라인 적용에 적합.

오프라인 인라인 호환

오프라인·인라인 호환

동일 H/W · S/W 플랫폼으로 오프라인 레시피를 인라인에 그대로 적용 가능.

다층막 동시 측정

다층막 동시 측정

3층 동시 피팅, 최대 20층 해석. n&k 동시 산출.

모델 구성

METIS LITE

METIS LITE

고정형 스테이지 / 200×200 mm

METIS LAB

METIS LAB

수동 이동 / 200×200 mm

METIS SCAN

METIS SCAN

자동 스캔 / 맞춤형 사이즈

METIS INLINE

METIS INLINE

양산 인라인 / 다채널 구성

OLED · 디스플레이 · 초박막

XELAS System

nm급 초박막 측정에 특화되어있습니다. 엘립소미터와 동등한 측정 성능을 0.1초 이하의 속도로 제공하며 인라인 적용이 용이합니다.

XELAS SCAN

파장

320–800 nm (변경 가능)
DUV 가능

두께

2 nm–3 μm

높낮이/기울기

±2 mm / ±0.6°

동시 측정층

3–4 Layer (최대 20)

주요 특징

nm급 초박막 측정

nm급 초박막 측정

2 nm 수준 극박막부터 측정.
OLED 유기막, 반도체 산화막 정밀 측정에 적합.

고속 측정

고속 측정

1층 두께 0.2초 이하. 인라인 공정 적용 용이.

다층막 동시 측정

다층막 동시 측정

3–4층 동시 피팅, 최대 20층.
표면거칠기 반영 Optical Modeling.

모델 구성

XELAS LITE

XELAS LITE

고정형 / Halogen 광원

XELAS LAB

XELAS LAB

수동 이동 / Halogen 광원

XELAS SCAN

XELAS SCAN

자동 스캔 / Xenon 광원

XELAS INLINE

XELAS INLINE

양산 인라인 / 4채널

2차전지 · WEB Coating · 디스플레이 · 광학 범용

TCM System

VIS와 NIR(850–1700 nm) 파장을 모두 지원합니다.
두꺼운 필름, 실리콘 기반 구조, Air gap 측정까지 넓은 두께 범위에 대응합니다.

TCM LITE

파장

380–1050 nm / 850-1700 nm
(변경 가능)

두께

2 nm–1300 μm

높낮이/기울기

±2 mm / ±0.6°

동시 측정층

3 Layer

주요 특징

NIR 파장 지원

NIR 파장 지원

850–1700 nm NIR 파장으로 실리콘 기반 구조, Air gap, 두꺼운 필름 측정 가능.

넓은 두께 범위

넓은 두께 범위

2 nm 박막부터 1300 μm 후막까지 단일 플랫폼 대응. 모듈 선택으로 최적화.

광학밀도(OD) 측정

광학밀도(OD) 측정

차광 필름, 배리어 코팅 등 OD 측정 지원.

모델 구성

TCM LITE

TCM LITE

고정형 / 200×200 mm

TCM LAB

TCM LAB

수동 이동 / 200×200 mm

TCM SCAN

TCM SCAN

자동 스캔 / 맞춤형

TCM INLINE

TCM INLINE

양산 인라인 / 4채널

태양전지 Wafer

HELIOS System

태양전지 Wafer 측정 전용 시스템입니다.
SiN 코팅의 두께 · 굴절률 · 색상 측정 및 Wafer 표면 텍스처 분석을 지원합니다.

Helios INLINE-rc

파장

380–1070 nm

두께 범위

45–120 nm

굴절률 범위

1.90–2.35

측정 속도

< 0.5 s/point

주요 특징

Wafer 두께 굴절률 측정

Wafer 두께·굴절률 측정

SiN, SiO 코팅층 비접촉 측정.
mc-wafer, pc-wafer 모두 대응.

텍스처 분석

텍스처 분석

Wafer 표면 피라미드 밀도 · 높이 · 분포 · 각도 측정. (HELIOS-tex 모델)

자동 매핑

자동 매핑

XY 자동 스캔으로 Wafer 전면 코팅 분포 측정.
결과 자동 저장.

모델 구성

HELIOS SCAN-TN / LAB-TN

두께 · 굴절률 · 색상 / 오프라인

HELIOS INLINE-TN

두께 · 굴절률 / 인라인 전수 검사

HELIOS LAB-RC

반사율 · 두께 · 색상 / Wafer

HELIOS-tex

Wafer 텍스처 분석

기타 측정 시스템

ETA SiCAM

Crystal Puller Heat Shield와 실리콘 용융액 간격 실시간 측정.

  • 측정 범위 3–30 mm

  • 정확도 < 0.5 mm

  • 최대 5 Hz

ETA-ARC / ETA-ARC-AT

안과용 AR · 하드코팅 두께, 잔여반사율, 색상 측정. ARC-AT는 곡면 지원.

  • 두께 0.1–20 μm

  • 파장 380–1050 nm

ETA-SST / ETA-CSS

실험실용 반사율·두께(SST) 및 투과율·색상(CSS) 측정 시스템.

  • 380–1050 nm 또는 850–1700 nm

상세 사양은 자료실의 브로슈어를 참고해주세요.

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